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NCD57000DWR2G

厂商名称：Onsemi

元件分类：栅极驱动IC

中文描述：

IGBT驱动器，高压侧和低压侧，7.1A，3.3V至5V电源，60ns/66ns延迟

英文描述：

Gate Drivers GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER

数据手册：

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NCD57000DWR2G概述

NCD57000是一款具有内部电流隔离的大电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其功能包括互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确UVLO、DESAT保护、DESAT软关断，以及为系统设计提供便利的独立高低（OUTH和OUTL）驱动器输出。NCD57000在输入侧适应5 V和3.3 V信号，在驱动器侧适应宽偏置电压范围，包括负电压能力。

IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+4/-6 A)

用于增强型IGBT驱动的低输出阻抗

具有精确匹配的短传播延迟

有源米勒钳位防止杂散栅极导通

具有可编程延迟的DESAT保护

DESAT的负电压（低至-9 V）能力

IGBT短路时软关断

短路期间的IGBT栅极钳位

IGBT栅极有源下拉

偏压灵活性的严格UVLO阈值

宽偏置电压范围，包括负VEE2

3.3V至5V输入电源电压

专为AEC-Q100认证而设计

5000 V电流隔离（满足UL1577要求）

1200 V工作电压（根据VDE0884-11要求）

应用

电源管理，电机驱动与控制，工业与制造业

NCD57000DWR2G中文参数

通道数:1放大器

驱动配置:高压侧和低压侧

电源开关类型:IGBT、MOSFET、SiC MOSFET

针脚数:16引脚

驱动器封装类型:WSOIC

输入类型:反相，非反相

拉电流:7.8A

灌电流:7.1A

电源电压最小值:3.3V

电源电压最大值:5V

工作温度最小值:-40°C

工作温度最高值:125°C

输入延迟:60ns

输出延迟:66ns

NCD57000DWR2G引脚图